El fabricante chino de memorias ChangXin Memory Technologies (CXMT) anunció en una conferencia del sector en Shanghái que ha logrado un avance en la arquitectura de memoria 4F² y que planea lanzar antes de fin de año nuevos productos para servidores de centros de datos. Las acciones mundiales de memorias y chips cayeron tras la noticia.
Puntos clave:
- Tecnología: CXMT afirma que la nueva arquitectura utiliza transistores apilados de puerta envolvente vertical para integrar el mismo número de celdas de memoria en una superficie menor y aumentar así la densidad. El 4F² es un objetivo que Samsung, SK Hynix y otros fabricantes persiguen desde hace años.
- Reacción del mercado: El 13 de octubre, Samsung Electronics cerró con una caída del 7,4 %, SK Hynix cayó cerca del 10 % y el KOSPI surcoreano terminó con un descenso de alrededor del 5,5 %. Micron cayó un 4 % durante la noche, y valores de memoria como Sandisk, Seagate y Western Digital también se debilitaron. La demanda de memoria de alto rendimiento de los centros de datos de IA está convirtiendo a la memoria en un nuevo campo de batalla de la competencia en IA.
- Una mirada serena: La afirmación no ha sido verificada de forma independiente y CXMT no ha revelado más detalles técnicos. Los analistas advierten de que aún queda una distancia considerable entre la presentación y unos rendimientos aptos para la producción en serie; si se confirmara, significaría además que un fabricante chino de memorias fue el primero en cruzar este umbral pese a las sanciones y a no tener acceso a los equipos más avanzados.
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