Le fabricant chinois de mémoires ChangXin Memory Technologies (CXMT) a annoncé lors d’une conférence sectorielle à Shanghai avoir réalisé une percée dans l’architecture mémoire 4F² et prévoir de lancer d’ici la fin de l’année de nouveaux produits destinés aux serveurs de centres de données. À cette annonce, les valeurs mondiales de la mémoire et des semi-conducteurs ont reculé.
Points clés :
- Voie technologique : CXMT affirme que la nouvelle architecture utilise des transistors empilés à grille enrobante verticale pour intégrer le même nombre de cellules mémoire sur une surface plus réduite, augmentant ainsi la densité. Le 4F² est un objectif que Samsung, SK Hynix et d’autres fabricants poursuivent depuis des années.
- Réaction du marché : Le 13 octobre, Samsung Electronics a clôturé en baisse de 7,4 %, SK Hynix a perdu environ 10 % et l’indice sud-coréen KOSPI a terminé en recul d’environ 5,5 %. Micron a cédé 4 % pendant la nuit, et des valeurs de la mémoire comme Sandisk, Seagate et Western Digital se sont aussi affaiblies. La demande des centres de données d’IA en mémoire haute performance fait de la mémoire un nouveau champ de bataille de la concurrence en IA.
- Un regard lucide : Cette affirmation n’a pas été vérifiée de manière indépendante et CXMT n’a pas divulgué davantage de détails techniques. Les analystes rappellent qu’il reste une distance considérable entre une présentation et des rendements compatibles avec la production de masse ; si elle se confirmait, cela signifierait aussi qu’un fabricant chinois de mémoires a franchi ce seuil le premier malgré les sanctions et l’impossibilité d’obtenir les équipements les plus avancés.
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